Chip op submount laserdiode

 

Chip op submount laserdiode

Belangrijkste kenmerken:

Chip op submount-ontwerp en P Down verzegeld pakket

AuSn-binding RoHS-conformiteit

808nm,915nm,975nm golflengte optioneel

Hoge elektro-optische efficiëntie

Hoge betrouwbaarheid en lange levensduur

Voor pompen, verlichting, materiaalverwerking en medische toepassingen

ESD-BESCHERMING – Elektrostatische ontlading is de belangrijkste oorzaak van onverwachte productstoringen. Neem extreme voorzorgsmaatregelen om ESD te voorkomen. Gebruik polsbanden, geaarde werkoppervlakken en strenge antistatische technieken bij het hanteren van het product.

Data papier:

Artikelnummer: COS808DL10

Optisch
Centrum Golflengte	808±5nm
Uitgangsvermogen:	10W
Spectrale breedte FWHM	6nm
Hellingsefficiëntie	1.0W/A
Elektrisch
Bedrijfsstroom Iop	12A
Drempelstroom Ith	1.5A
Bedrijfsspanning Vop	1.8V
Efficiëntie van stroomconversie	50%
Thermisch
Bedrijfstemperatuur:	15-55℃
Bewaar temperatuur	-30~70℃
Golflengte Temperatuur Coëfficiënt	0.3nm/℃

Pakket Tekening:

Populaire tags: chip op submount laserdiode leveranciers, fabrikanten China, fabriek, groothandel, gemaakt in China