20W 976nm laserchips met enkele zender voor medisch en esthetisch
Functies:
- CW-werkmodus, 1W/A-hellingsefficiëntie
- Dimlichtdivergentie en kleine lichtuitstralende opening
- Laserchip met enkele zender
- Geoptimaliseerd epitaxiaal structuurontwerp5. Hoge energieconversie-efficiëntie
Sollicitatie:
- Medisch en esthetisch
- Laserverlichting
- Vrije ruimte optische communicatie
Laserchip is een onmisbaar kernapparaat voor de ontwikkeling van de laserindustrie en de technische kern van de hele laserindustrieketen. 20W 976nm SIngle Emitter-laserchip met CW-werkmodus en met slechts 1 zender. De energieomzettingsefficiëntie kan oplopen tot 54%.
Technische parameter
Artikelnr: LC976SE20
Artikelnaam: 20W 976nm laserchips met enkele emitter
|
Optisch |
Typ |
|
Centrale golflengte |
976 nm |
|
Uitgangsvermogen |
20W |
|
Werkmodus |
CW |
|
Spectrumbreedte |
4 nm |
| Aantal zenders | 1 |
|
Zenderbreedte |
190μm |
| Holle breedte | 500um |
|
Holle lengte |
4000μm |
|
Dikte van de holte |
130μm |
| Snelle asdivergentie | 29 graden |
| Langzame asdivergentie | 9 graden |
| Polarisatiemodus | TE |
| Hellingefficiëntie | 1W/A |
|
Elektrisch |
|
|
Bedrijfsstroom Iop |
23A |
|
Drempelstroom Ith |
1.2A |
|
Bedrijfsspanning Vop |
1.7V |
|
Conversie-efficiëntie |
54% |
|
Thermisch |
|
|
Bedrijfstemperatuur |
25 graden |
|
Golflengte temperatuurcoëfficiënt |
0,35 nm/graad |
LIV-curve:
Laserchips zijn de kerncomponenten van de moderne opto-elektronische technologie, en hun materiaalsysteem bepaalt de prestaties en toepassingsgebieden van lasers. Volgens verschillende materiaalsystemen worden laserchips hoofdzakelijk onderverdeeld in op galliumnitride (GaN)-gebaseerde blauwlichtreeksen, galliumarsenide (GaAs), indiumfosfide (InP), enz. Deze materialen bestaan meestal in de vorm van ternaire of quaternaire verbindingen en hebben hun eigen unieke kenmerken en toepassingsvoordelen.
Galliumnitride (GaN) is een halfgeleidermateriaal met een brede bandafstand dat veel wordt gebruikt in blauwlichtlasers vanwege de uitstekende elektronenmobiliteit en hoge thermische geleidbaarheid. Lasers op basis van galliumnitride- hebben de kenmerken van een hoog vermogen, hoge efficiëntie en een lange levensduur, en worden veel gebruikt op gebieden zoals het lezen van cd's, weergavetechnologie en medische apparatuur.
Galliumarsenide (GaAs) is een belangrijk III-V-halfgeleidermateriaal dat veel wordt gebruikt in lasers in de infrarood- en nabij-infrarode banden. Het GaAs-materiaalsysteem kan worden gecombineerd met elementen zoals aluminium en antimoon om een verscheidenheid aan verbindingen te vormen, zoals aluminium gallium arseen (AlGaAs) en indium gallium arseen (InGaAs). Deze materialen worden veel gebruikt in elektro-optische communicatie, optische opslag en radartechnologie.
Populaire tags: 20w 976nm laserchips met enkele emitter leveranciers, fabrikanten China, fabriek, groothandel, gemaakt in China