Hoogwaardige epitaxiale materiaalgroeitechnologie:
Hoogwaardige epitaxiale materiaalgroeitechnologie: Halfgeleiderlaser epitaxiale materiaalgroeitechnologie is de kern van halfgeleiderlaserontwikkeling. Het optimaliseert voornamelijk de dopingcurve om de overlap tussen het optische veld en het zwaar gedopte gebied te verminderen, waardoor het absorptieverlies van de vrije drager wordt verminderd en de conversie-efficiëntie van het apparaat wordt verbeterd.
Cavity oppervlakte behandelingstechnologie: Door diverse holteoppervlakte passivering en deklaagtechnologie, vermindert of elimineert de defecten van het holteoppervlakte en oxydatie, vermindert de absorptie van het holteoppervlaktelicht, verhoogt de waarde van de holteoppervlakte COMD, en bereikt hoog piekvermogenoutput
Geïntegreerde verpakkingstechnologie: Het onderzoek naar de belangrijkste technologie van high-power halfgeleiderlaserverpakkingen is om te beginnen met de aspecten warmte, verpakkingsmaterialen en stress, om het verpakkingsontwerp van thermisch beheer en thermische stress op te lossen en om een technologische doorbraak te bereiken in de ontwikkeling van directe halfgeleiderlasers tot hoog vermogen, hoge helderheid en hoge betrouwbaarheid.
